光學鍍膜鏡片在高真空度的鍍膜腔中實現。常規鍍膜工藝要求升高基底溫度(通常約為300℃);而較先進的技術，如離子輔助沉積(IAD)可在室溫下進行。IAD工藝不但生產比常規鍍膜工藝具有更好物理特性的薄膜，而且可以應用于塑料制成的基底。圖19.11展示一個操作者正在光學鍍膜機前。抽真空主系統由兩個低溫泵組成。電子束蒸發、IAD沉積、光控、加熱器控制、抽真空控制和自動過程控制的控制模塊都在鍍膜機的前面板上。圖19.12示出裝配在高真空鍍膜機基板上的硬件布局。兩個電子槍源位于基板兩邊，周圍是環形罩并被擋板覆蓋。離子源位于中間，光控窗口在離子源的前方。圖19.13示出真空室的頂部，真空室里有含6個圓形夾具的行星系統。夾具用于放置被鍍膜的光學元件。使用行星系統是保證被蒸發材料在夾具區域內均勻分布的選擇方法。夾具繞公共軸旋轉，同時繞其自身軸旋轉。光控和晶控處于行星驅動機械裝置的中部，驅動軸遮擋晶控。背面的大開口通向附加的高真空泵。基底加熱系統由4個石英燈組成，真空室的兩邊各兩個。
薄膜沉積的傳統方法一直是熱蒸發，或采用電阻加熱蒸發源或采用電子束蒸發源。薄膜特性主要決定于沉積原子的能量，傳統蒸發中原子的能量僅約0.1eV。IAD沉積導致電離化蒸汽的直接沉積并且給正在生長的膜增加活化能，通常為50eV量級。離子源將束流從離子槍指向基底表面和正在生長的薄膜來改善傳統電子束蒸發的薄膜特性。
